SK海力士加速推进1c制程DRAM量产：良率提升至80%，超50%产线将在今年完成切换

SK海力士正加速推进10纳米第六代（1c）DRAM技术，大幅增加极紫外（EUV）设备投入，投资额约为原计划的三倍。该公司正全力开发该技术，用于新一代第七代高带宽内存HBM4E的核心芯片，并计划今年内向客户交付样品。由于主要客户英伟达预计明年下半年推出搭载HBM4E的AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士需加快研发与量产节奏。目前，其通用DRAM的1c工艺良率已达80%。今年内，公司将把超一半的DRAM产能转向1c工艺，预计年底实现约19万片月产能。