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Groq拟将3D堆叠DRAM技术用于下一代芯片
Groq正计划将3D堆叠DRAM封装技术引入下一代芯片研发,旨在用DRAM取代现有的SRAM。这一举措被视为突破传统以SRAM为核心的设计局限、大幅提升芯片容量的关键一步。尽管SRAM具备高速优势但容量受限,而DRAM虽速度稍慢却能支持更大规模的数据存储。通过3D封装技术,半导体芯片得以垂直堆叠而非平面排列,这不仅缩小了芯片的表面积,还显著提升了能效。
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